北京时间3月17日消息，据外媒报道，三星称目前的10纳米工艺技术的产能正在进行稳定的提升，并且在未来还将研发更高级别的8纳米和6纳米的FinFET技术。
三星昨天宣布称，它正在加快生产10nm芯片。目前为止，已经将70000多颗第一代LPE硅晶片交付给客户。三星自家的猎户座8895，以及高通的骁龙835，都采用这种工艺制造。
三星电子执行副总裁Jongshik Yoon介绍，10nm第二代LPP版和第三代LPU版将分别在年底和明年进入批量生产。
芯片工艺的升级都会经历这样一个循序渐进的过程，仍记得骁龙810/820第一代LPE版的过热问题曾困扰高通很久，在随后更新的骁龙821中解决了这个问题。他表示，我们将继续提供业内最具竞争力的工艺技术。
三星还同时宣布将向其当前的工艺路线图中添加8nm和6nm工艺技术，与现有的工艺相比，它们将“提供更大的可扩展性，性能和功耗优势”，8nm和6nm将继承使用10nm和7nm工艺的技术创新。
在今年的5月24日，在美国举行的三星铸造论坛上将公布8nm和6nm工艺的所有技术细节，可以看到明年的三星手机将极有可能搭载着更加优秀的芯片处理器。
