科联网6月6日讯 北京时间6月6日早间消息，在开发了全球首个7纳米芯片的两年之后，IBM宣布，该公司已取得技术突破，利用5纳米技术制造出密度更大的芯片。
这种芯片可以将300亿个5纳米开关电路集成在指甲盖大小的芯片上。作为对比，同样大小的7纳米芯片可以集成200亿个晶体管。
简单来说，芯片上的晶体管越密集，晶体管之间的信号传递速度就越快。IBM表示，随着晶体管密度的增加，5纳米芯片相对于10纳米芯片可以实现40%的性能提升，或是将功耗降低75%。
IBM使用了一种新型晶体管，即堆叠硅纳米板，将晶体管更致密地封装在一起。纳米板晶体管通过4栅极去发射电子，这与当前通过3栅极发射电子的FinFET晶体管不同。FinFET最初出现在22纳米和14纳米芯片中，预计在7纳米芯片中仍将继续得到使用。
IBM研究院半导体技术研究副总裁穆克什·凯尔(Mukesh Khare)表示，芯片行业正在努力突破FinFET的设计，因为这种设计无助于集成电路规模的进一步扩大。随着芯片设计人员尝试集成更多的晶体管，芯片正面临晶体管泄露的问题。
凯尔指出：“从几何学上来说，FinFET无法再继续扩大规模。”
IBM研究纳米板晶体管技术已有十余年时间。该公司使用“极端紫外线”光刻技术来制造纳米板晶体管，同样的工艺也应用在IBM的7纳米测试芯片中。
IBM与Global Foundries和三星合作展开了5纳米芯片的研究。这一合作组织在2017年日本的VLSI技术和电路大会上公布了这款芯片。IBM不会生产这种芯片，生产工作由Global Foundries和三星负责，而这两家公司也可以选择获得5纳米工艺的授权。
预计5纳米芯片将在2020年左右开始大规模量产。
