体积轻薄的手机固然不错，但是拥有更长电池寿命的高端智能手机就更好不过了。据美国科技媒体网站The verge 7月26日报道，三星已经开始大规模生产用于“下一代旗舰”智能手机的新内存芯片，旨在通过提高效率来解决电池消耗问题。
具体而言，第二代10nm级16Gb LPDRD4X移动DRAM芯片实现了当前旗舰智能手机中4266 Mbps的数据速率，但功率下降达10%。三星合并芯片时，事情变得更加有趣，通过使用四个10nm级16Gb LPDRD4X DRAM芯片，来创建8GB LPDRD4X移动DRAM芯片组。这可能看起来难以理解，但组合成的芯片组一比现有设计更节能、更轻。
三星电子内存市场高级副总裁Sewon Chun表示，新的节能芯片“应该在今年后半年或2019年第一季度上市。”这一举动是三星芯片阵容的一个重大变化，因为这一举动引起了70%的生产扩张。新的记忆芯片应该会及时用到新一代Galaxy旗舰机中去，但好像不会用到本月下旬将发布的Note 9。
