多数
大商用雷达系统，特别是高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 中的雷达系统，均基于锗硅(SiGe)技术。目前的高端车辆都有一个多芯片SiGe雷达系统。虽然基于SiGe技术的77GHz系统满足控制时的高速度要求，但它们过大、过于笨重，占用了大量板空间。
雷达传感器
随着车辆中数量的不断攀升，目前车辆中至少有10个雷达(前置、后置和车角)，空间上的限制就要求每个传感器必须体积更小、更低，并且性价比更高。某些正处于开发阶段的现有雷达系统将促使、、和功能集成在一个单芯片内，而这将把前端芯片的数量从4个减少到1个，不过这只适用于雷达前端。
金属氧化物
通过充分利用互补(CMOS)技术，并将(MCU)和()以及智能雷达前端集成在内，TI已经将集成度提升至新高度。前端具有处理功能将尽可能降低雷达系统尺寸、功率、外形尺寸和成本，从而进一步实现车辆内多个雷达系统的安装。
图1：由CMOS实现的单芯片集成
CMOS技术
的传统包括更高的管和更低功率。CMOS内的数字缩放降低了功率，缩小了尺寸，并且提高了每个的性能。在数字晶体管改进的推动下，CMOS的速度不断提高，现已足以满足79GHz ADAS应用的需要了。
波段
79GHz提供4GHz，这对更高范围的至关重要。未来的雷达系统还将需要对短距离的支持，将更佳的角分辨率转化为雷达系统内的更多天线。CMOS技术的TI传感器能够支持此项扩展能力，实现高容量的大批量生产。
中嵌
CMOS技术进一步提高了TI在模拟组件入数字功能，从而实现了在雷达系统部署方面的全新和。例如，TI单芯片(mmWave)传感器内的嵌入式MCU可实现(RF)和模拟子系统的半自主控制。TI的CMOS传感器为模拟组件提供数字辅助，以便环境和生产过程中的变化，同时保持灵活性和稳健性，数字辅助能够灵活生成信号并能实现实时高级自监控。
接收
一个雷达系统的动态范围取决于器底，以及在保险杠反射所导致的自干扰下的耐受能力。而这在很大程度上取决于架构和系统能力，这样就使一个CMOS系统——具有更宽的中频(IF)带宽、更多和低线性调频信号生成——对于雷达应用具有出色的系统级性能。
传感器的
CMOS技术改变了毫米波设计，并嵌入更高的智能化和功能性。CMOS技术已经使TI能够提供高性能、低功率毫米波传感器产品组合，涵盖了从高性能雷达前端到单芯片雷达的整个范围。
