半导体设备
全球最大厂宣布，利用钴金属全面铜当作材料，以客户全面推进至7奈米以下制程，并，目前将主要应用在逻辑芯片当中，也协助客户在D NAND架构中效能及良率。
功耗
由于智能手机及平板计算机需求广大，显示行动时代不断需要更高规格配备，新应用也不断发展，以高效能芯片如何突破现有速度、更低及储存空间更多为例，势必就得不断延续摩尔，从现有的10奈米制程向前演进至个位数奈米制程。
效率
不过，10奈米以下制程技术含量高，且若用现有材料导电速度将会不如以往。 因此，应用材料昨(17)日宣布，将以钴金属在个位数奈米制程节点全面取代现有的铜金属当作导线材料，导电效率有显著提升。
半导体
应用材料设备事业群金属沉积产品部资深经理陆勤表示，将现有的芯片为缩到7奈米及以下制程是目前在半导体历史中最困难的技术挑战，产业界技术蓝图的精进有赖组件设计、制程技术及新材料的创新，因此应材耗时3年时间，研以钴取代传统铜的需要，以组件效能更高、良率更佳，维持客户竞争力与推进技术蓝图的主要驱动力。
指出
陆勤，以钴金属全面取代铜当作导线材料，将可能在7奈米制程进行学习阶段，在5奈米制程客户端有望全面导入。 在机台部分可望持续沿用当前的Endura平台，进行技术及零件升级钴当作导线材料。
陆勤表示，Endura能在关键的阻障层及重晶层进行沉积，使制程先进的导线成为可能，当业界到达10奈米以下，岛县内非常的薄的薄膜就需要在控制良好的环境中，有够精准材料工程及接口，这套系统能支持最多8个制程反应室，方便半导体厂能将各个制程技术同时整合在同一平台上
