台积电
一年一度的技术论坛订下周四(25)日在新竹登场，商应材公司材料技术获致重大突破下，预估台积电5nm制程量产蓝图将更加，预料论坛中将揭橥5nm量产时程，也将成为全球第一个对外宣布提供5nm服务的厂。
透露
台积电供应键，今年台积电技术论坛将由共同执行长暨总经理家担纲主持，除台积电引以为傲的7nm即将于今年底进行投片量产外，也将确立5奈米制程试产和量产时程;同时也会针对市场瞩目的nm设厂地点，提出进一步的说明。
取代
应材昨(17)日宣布成功运用钴金属材料铜，作为先程中进行沉积制程的关键材料，且获致导电性更佳和更低、让芯片更小等重大突破，让得以延伸推进到7奈米，甚至到5奈米和3奈米，预料将使台积电等晶圆制程厂7奈米量产脚步加速。
新技
美商应材研发人员昨专程来台宣布这项重要材料创术，也意谓应材在半导体先进制程设备和材料运用，持续扮演领先地位，并透露包括台积电等晶圆制造厂将先进制程推进至7奈米以下的商业化脚步，更向前一大步。
采用
应材表示，目前各大晶圆制程厂已导入在7奈米制程这项新的材料革新，如果良好，不排除可能在7奈米就可以看到导入钴金属取代铜制程技术变革。
节点
应材表示，当半导体金属沉积制程进入7奈米以下的技术时，链接芯片中数10亿个管的渐渐成为技术。 一方面要扩增芯片上晶体管的数量，一方面追求系统整合，缩小导线进而增加晶体管必然的势。
强调
但应材，当导线的截面积减少，导电区域的体积也减少，这会造成电阻增加，阻碍最佳效能的实现。 这种阻容迟滞有赖以创新突破技术瓶颈，包括在阻障层、内衬层制程，以及运用新的材料，以利在更狭小的空间中改善导电特性。
三种
应材强调，为了解决导线的电阻问题，用新的钴取代传统的铜，并运用多年累积的沉积制程技术，同时将物理气相沉积、化学气相沉积和原子层不同沉积制程技术，整合在同一设备平台上，运用单一整合程序，制造薄膜结构。
指出
应材，以钴取代传统铜进行沉积制程的关键材料，已获致传导性更快且功耗更低等优越性能，同时大幅节省芯片体积，芯片效能更快、体积更大。
